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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
45
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
40
读取速度,GB/s
12.0
13.6
写入速度,GB/s
7.8
12.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3011
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
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