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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
差异
规格
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
12.0
18.3
写入速度,GB/s
7.8
14.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3442
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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