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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
45
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
31
读取速度,GB/s
12.0
16.3
写入速度,GB/s
7.8
11.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2995
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
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