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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
45
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
31
读取速度,GB/s
12.0
17.6
写入速度,GB/s
7.8
12.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3084
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston 9905595-011.A00LF 2GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
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