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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
45
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
31
读取速度,GB/s
12.0
16.2
写入速度,GB/s
7.8
11.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2971
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
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