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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
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规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
45
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
34
读取速度,GB/s
12.0
16.1
写入速度,GB/s
7.8
13.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3047
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
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