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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
49
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
49
读取速度,GB/s
12.0
18.3
写入速度,GB/s
7.8
12.1
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2801
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
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Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
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