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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
12.0
17.7
写入速度,GB/s
7.8
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3401
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RAM 1
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-027.A00G 16GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
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