RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
45
左右 -36% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
33
读取速度,GB/s
12.0
10.6
写入速度,GB/s
7.8
8.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2503
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link