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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
45
左右 -165% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
17
读取速度,GB/s
12.0
22.0
写入速度,GB/s
7.8
16.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3704
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
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