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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
45
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
24
读取速度,GB/s
12.0
20.2
写入速度,GB/s
7.8
18.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
4114
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
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