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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
45
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
27
读取速度,GB/s
12.0
19.4
写入速度,GB/s
7.8
16.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3827
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-002.A01G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
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