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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
45
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.1
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
33
读取速度,GB/s
12.0
21.1
写入速度,GB/s
7.8
18.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3959
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
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Kingston 9905678-177.A00G 8GB
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Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
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