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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
51
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
5.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
51
读取速度,GB/s
12.0
10.5
写入速度,GB/s
7.8
5.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
1941
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
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