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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston 9905622-025.A01G 4GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
45
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
25
读取速度,GB/s
12.0
15.3
写入速度,GB/s
7.8
11.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2515
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
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