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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston 9905678-007.A00G 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
45
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
23
读取速度,GB/s
12.0
16.6
写入速度,GB/s
7.8
12.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2922
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
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