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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston 9965640-004.C00G 16GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
59
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12
7.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
4.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
59
读取速度,GB/s
12.0
7.3
写入速度,GB/s
7.8
4.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
1421
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
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Kingston 9905704-007.A00G 4GB
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Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
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