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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
45
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
36
读取速度,GB/s
12.0
14.8
写入速度,GB/s
7.8
12.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2711
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
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Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB RAM的比较
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
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