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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
45
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
33
读取速度,GB/s
12.0
14.9
写入速度,GB/s
7.8
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2800
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
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Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
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