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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
差异
规格
评论
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
45
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
27
读取速度,GB/s
12.0
16.5
写入速度,GB/s
7.8
13.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2892
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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