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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
45
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
33
读取速度,GB/s
12.0
17.6
写入速度,GB/s
7.8
12.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2910
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
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