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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
45
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
34
读取速度,GB/s
12.0
13.9
写入速度,GB/s
7.8
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2504
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C15/8G 8GB
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Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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