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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
45
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
36
读取速度,GB/s
12.0
13.5
写入速度,GB/s
7.8
11.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2381
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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