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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs AMD R748G2400S2S 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
AMD R748G2400S2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
135
左右 67% 更低的延时
需要考虑的原因
AMD R748G2400S2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
135
读取速度,GB/s
12.3
15.2
写入速度,GB/s
8.0
8.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
1359
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
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