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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
12.3
16.3
写入速度,GB/s
8.0
13.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3132
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
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SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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Kingston 9905664-010.A00G 4GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
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