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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
45
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
25
读取速度,GB/s
12.3
18.6
写入速度,GB/s
8.0
15.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3843
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
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