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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
12.3
14.2
写入速度,GB/s
8.0
12.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2873
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
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