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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB

总分
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

总分
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Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 45
    左右 -36% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.1 left arrow 12.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.5 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    45 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    12.3 left arrow 16.1
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 12.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1992 left arrow 3155

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB RAM的比较

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
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Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
内存RAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
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