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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
45
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
40
读取速度,GB/s
12.3
16.8
写入速度,GB/s
8.0
14.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3015
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
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