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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
差异
规格
评论
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
41
45
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
41
读取速度,GB/s
12.3
16.3
写入速度,GB/s
8.0
13.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3146
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
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