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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
45
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
33
读取速度,GB/s
12.3
17.8
写入速度,GB/s
8.0
13.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3539
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
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