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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
45
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
31
读取速度,GB/s
12.3
18.3
写入速度,GB/s
8.0
13.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3433
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
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Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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