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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
45
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
32
读取速度,GB/s
12.3
16.6
写入速度,GB/s
8.0
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3405
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
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