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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
45
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
30
读取速度,GB/s
12.3
17.4
写入速度,GB/s
8.0
14.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3579
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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