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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
43
45
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
43
读取速度,GB/s
12.3
12.8
写入速度,GB/s
8.0
14.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3050
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
INTENSO 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
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