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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
45
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
34
读取速度,GB/s
12.3
20.9
写入速度,GB/s
8.0
13.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3343
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
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Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
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