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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
45
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
32
读取速度,GB/s
12.3
14.2
写入速度,GB/s
8.0
11.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2933
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
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