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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
12.3
17.9
写入速度,GB/s
8.0
13.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3311
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
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