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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
45
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
34
读取速度,GB/s
12.3
15.5
写入速度,GB/s
8.0
12.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2963
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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