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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
45
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
34
读取速度,GB/s
12.3
12.7
写入速度,GB/s
8.0
8.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
1718
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
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