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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
45
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
24
读取速度,GB/s
12.3
16.1
写入速度,GB/s
8.0
12.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2719
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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