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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
45
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
30
读取速度,GB/s
12.3
13.3
写入速度,GB/s
8.0
10.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2306
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
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