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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
45
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
35
读取速度,GB/s
12.3
15.2
写入速度,GB/s
8.0
10.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2571
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
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