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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
45
左右 -105% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
22
读取速度,GB/s
12.3
18.1
写入速度,GB/s
8.0
13.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3091
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
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