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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
45
左右 -114% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
21
读取速度,GB/s
12.3
15.1
写入速度,GB/s
8.0
7.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2250
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
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