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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
45
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
30
读取速度,GB/s
12.3
17.9
写入速度,GB/s
8.0
13.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3226
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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