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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
45
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
30
读取速度,GB/s
12.3
17.9
写入速度,GB/s
8.0
13.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3226
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
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