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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
45
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
23
读取速度,GB/s
12.3
18.1
写入速度,GB/s
8.0
13.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3125
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
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