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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
28
读取速度,GB/s
12.3
12.6
写入速度,GB/s
8.0
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2759
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
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