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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
12.3
20.2
写入速度,GB/s
8.0
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3241
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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