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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
45
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
33
读取速度,GB/s
12.3
18.1
写入速度,GB/s
8.0
14.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3596
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Corsair CMX16GX3M2A1333C9 8GB
Kingston ACR16D3LU1KBG/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
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